Tính chất điện tử của đơn lớp galinium selenide: Các tính toán bằng lý thuyết hàm mật độ = Electronic properties of monolayer gallium selenide: Density functional theory calculations

Please use this identifier to cite or link to this item: http://thuvienlamdong.org.vn:81/handle/DL_134679/16730

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Võ, Thị Tuyết Vi
dc.contributor.author	Bùi, Đình Hợi
dc.contributor.author	Nguyễn, Văn Chương
dc.contributor.author	Nguyễn, Ngọc Hiếu
dc.date.accessioned	2023-12-08T09:08:48Z	-
dc.date.available	2023-12-08T09:08:48Z	-
dc.date.issued	2020
dc.identifier.uri	https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=312589	en
dc.identifier.uri	http://thuvienlamdong.org.vn:81/handle/DL_134679/16730	-
dc.language.iso	vi	en
dc.relation.ispartofseries	Tạp chí khoa học - Đại học Sư phạm Huế - 2020 - no.55 - tr.23-29 - ISSN.1859-1612	en
dc.subject	Tạp chí khoa học	en
dc.title	Tính chất điện tử của đơn lớp galinium selenide: Các tính toán bằng lý thuyết hàm mật độ = Electronic properties of monolayer gallium selenide: Density functional theory calculations	en
dc.type	Article	en
item.openairetype	Article	-
item.openairecristype	http://purl.org/coar/resource_type/c_18cf	-
item.grantfulltext	restricted	-
item.fulltext	Có toàn văn	-
item.languageiso639-1	vi	-
item.cerifentitytype	Publications	-
Appears in Collections:	Báo - Tạp chí

File	Size	Format	Existing users please Login
CVv405S552020023.pdf	434.56 kB	Adobe PDF

CORE Recommender

Check