Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này:
http://thuvienlamdong.org.vn:81/handle/DL_134679/21841| Nhan đề: | Vai trò và thiết kế khác nhau của điện môi cực cổng dị cấu trúc trong các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm đơn và lưỡng cổng | Tác giả: | Nguyễn, Đăng Chiến Lưu, Thế Vinh Huỳnh, Thị Hồng Thắm Chun, Hsing Shih |
Từ khoá: | Tạp chí Khoa học | Năm xuất bản: | 2020 | Tùng thư/Số báo cáo: | Tạp chí Khoa học - Đại học Đà Lạt - 2020 - no.3 - tr.110-123 - ISSN.0866-787 | Định danh: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=306962 http://thuvienlamdong.org.vn:81/handle/DL_134679/21841 |
| Bộ sưu tập: | Báo - Tạp chí |
Các tập tin trong tài liệu này:
| Tập tin | Kích thước | Định dạng | Đã có tài khoản, vui lòng Đăng nhập |
|---|---|---|---|
| CVv461V10S032020110.pdf | 566.86 kB | Adobe PDF |
Các đề xuất từ CORE
Google Scholar TM
Kiểm tra...
Khi sử dụng các tài liệu trong Hệ thống quản lý thông tin nghiên cứu phải tuân thủ Luật bản quyền.